### 產品簡介
BRI2N60-VB 是一款采用 TO251 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET，適用于高電壓應用。其具有 650V 的漏極-源極耐壓、30V 的柵極-源極耐壓、以及 3.5V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 10V 的柵極驅動電壓下，具有 4300mΩ 的導通電阻和最大 2A 的漏極電流。

### 參數說明
- **型號**: BRI2N60-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面技術

### 應用領域
BRI2N60-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 用于高壓開關電源中的開關控制，確保高效率和穩定性。
- **逆變器**: 在光伏逆變器和風能逆變器中作為功率開關，承受高電壓和電流。
- **電動汽車**: 在電動汽車的電池管理系統和電機控制中，作為功率開關元件。
- **家用電器**: 適用于高壓家用電器中的開關電路，如微波爐和電熱水器。