--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BSC016N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8(5x6)。它具有低導通電阻和高電流處理能力,適用于需要高效率和高電流的應用,如電源管理和電機驅動。
### 詳細參數說明
- **型號**: BSC016N04LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **類型**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5 mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8 mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID)**: 160A
- **技術**: 溝槽型
### 適用領域和模塊
BSC016N04LS G-VB 適用于:
1. **電源管理**:其低導通電阻和高電流能力使其適合用于高效電源轉換和管理電路。
2. **電機驅動**:能夠處理大電流,適合用于電機控制和驅動模塊。
3. **高效開關電路**:由于其低 RDS(ON),適用于高效的開關電路,如 DC-DC 轉換器和電池管理系統。
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