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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC018N04LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC018N04LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSC018N04LS G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。該MOSFET具有40V的漏源電壓(VDS),支持最大±20V的柵極源電壓(VGS)。它的閾值電壓(Vth)為3V,具有超低的導(dǎo)通電阻2mΩ(VGS=10V),并且能承受高達(dá)120A的最大漏電流。MOSFET采用溝槽技術(shù),適合用于高功率和高效率的電源和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC018N04LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

**BSC018N04LS G-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在高效開關(guān)電源中作為開關(guān)元件,適合高電流和低損耗的需求,提升整體電源效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中用于高電流開關(guān),能夠處理大電流并保持低導(dǎo)通損耗。

3. **電池供電系統(tǒng)**:用于電池管理和保護(hù),特別是在需要高電流負(fù)載的應(yīng)用中,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性。

4. **高功率轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他功率轉(zhuǎn)換模塊中,用于實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和降低熱損耗。

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