**產(chǎn)品簡介：**
BSO130N03MS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8，適用于中低電壓高電流應用。其 VDS（漏極-源極最大電壓）為 30V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 13A。該 MOSFET 采用溝槽型工藝技術，具有低導通電阻（RDS(ON) 為 11mΩ 在 VGS=4.5V 時，8mΩ 在 VGS=10V 時），能夠提供優(yōu)異的開關性能和高效能。

**詳細參數(shù)說明：**
- **封裝**: SOP8
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 11mΩ @ VGS = 4.5V；8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 13A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源開關**：在高效的電源開關應用中，BSO130N03MS G-VB 的低 RDS(ON) 有助于減少能量損耗，提高電源轉換效率，適合用于各種電源管理和開關電路。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機驅動模塊中，該 MOSFET 可處理高電流負載，確保系統(tǒng)的可靠性和高效性。
3. **工業(yè)設備**：在工業(yè)控制和負載開關系統(tǒng)中，BSO130N03MS G-VB 的高電流承受能力和低導通電阻使其適合用于需要高效能和穩(wěn)定性的應用。