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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSO150N03-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSO150N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
BSO150N03-VB 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,封裝為 SOP8,設(shè)計(jì)用于中高電流應(yīng)用。它具有 30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,導(dǎo)通電阻為 20mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 16mΩ。最大漏極電流為 8.5A。采用 Trench 技術(shù),提供了優(yōu)良的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻,適用于各種高電流開關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說明
- **型號**: BSO150N03-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙通道 N 溝道 MOSFET(N+N)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 8.5A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSO150N03-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在電源轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中作為關(guān)鍵的開關(guān)元件,支持高效的電流控制和負(fù)載管理。
- **電池保護(hù)**: 在電池管理系統(tǒng)中作為保護(hù)開關(guān),確保電池的安全性和延長使用壽命。
- **消費(fèi)電子**: 用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備中的電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān),提高系統(tǒng)效率。
- **汽車電子**: 在汽車電源管理系統(tǒng)中,處理電動(dòng)座椅、車燈等高電流負(fù)載的開關(guān),提升汽車電氣系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

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