### 一、BUK456-800A-VB 產品簡介

BUK456-800A-VB 是一款高電壓單N溝道MOSFET，采用TO220封裝。該MOSFET 使用Plannar技術設計，能夠承受高達850V的漏源極電壓，適合于高電壓應用環境。盡管其導通電阻較高，但其優異的高電壓耐受能力使其在需要處理高電壓的開關和功率管理應用中表現出色。BUK456-800A-VB 的設計旨在提供高電壓穩定性和可靠的開關性能。

### 二、BUK456-800A-VB 詳細參數說明

| 參數 | 數值 |
|---|---|
| 封裝 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| VDS（漏源極電壓） | 850V |
| VGS（柵源極電壓） | 30（±V） |
| Vth（閾值電壓） | 3.5V |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 2700mΩ |
| ID（漏極電流） | 4A |
| 技術 | Plannar |

### 三、應用領域和模塊示例

1. **高電壓開關**：
  BUK456-800A-VB 在高電壓開關應用中具有重要作用，特別適用于需要處理850V高電壓的電源開關和電源轉換器。其高電壓耐受能力使其能夠在高電壓環境中提供穩定的開關性能，確保系統的可靠性。

2. **功率變換器**：
  在功率變換器和逆變器中，該MOSFET 可以用作高電壓開關和負載控制元件。其高電壓處理能力使其適合在電力電子系統中進行DC-AC轉換，為系統提供穩定的功率輸出。

3. **電力供應系統**：
  BUK456-800A-VB 適用于電力供應系統中的高電壓開關和保護電路。其高電壓耐受能力和穩定性確保在電力系統中處理高電壓負載，從而增強系統的安全性和可靠性。

4. **工業應用**：
  在工業設備中，例如高電壓電機驅動和功率控制系統，BUK456-800A-VB 能夠處理高電壓負載。其設計用于承受高電壓，使其成為嚴苛工業環境中的可靠組件。

5. **高功率放大器**：
  在高功率放大器和射頻功率放大器中，該MOSFET 可以作為高電壓開關，處理高電壓和功率需求。盡管其導通電阻較高，但其高電壓處理能力使其適合在高功率應用中使用。

盡管BUK456-800A-VB 的導通電阻較高，其卓越的高電壓耐受性和可靠的開關性能使其在各種高電壓和功率應用中具有重要作用，為這些領域的功率管理和開關操作提供了可靠的解決方案。