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MA4E2513L-1289 二極管

型號: MA4E2513L-1289

--- 產品參數 ---

  • 零件號 MA4E2513L-1289
  • 簡短的介紹 SURMOUNT™ 低勢壘三通“0301”封裝硅肖特基二極管
  • Vf(V) 0.3000
  • 總電容(pF) 0.120
  • 動態電阻(ohms) 10.0
  • 結電容(pF) 0.120
  • 包裹 ODS-1289

--- 產品詳情 ---

MA4E2513L-1289 SURMOUNTTM 二極管是硅低勢壘肖特基器件,采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由硅基座組成,這些基座形成二極管或嵌入玻璃電介質中的通孔導體,玻璃電介質用作低色散微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 設備在一個薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount Schottky 器件是需要梁引線器件的小寄生效應以及芯片卓越的機械性能的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝焊盤。與傳統設備相比,這些設備是可靠、可重復且成本更低的解決方案。與傳統的束引線肖特基二極管相比,它們對靜電放電的敏感性更低。用于制造 Surmount Schottky 結的多層金屬化包括鉑擴散屏障,它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。極小的“0301”外形允許表面貼裝和多功能極性方向。MA4E2513L-1289 SURMOUNT? 二極管推薦用于通過 Ku 波段頻率的微波電路,用于混頻器、次諧波混頻器、檢波器和限幅器等低功率應用。

MA4E2513L-1289

 


產品規格
零件號 MA4E2513L-1289
簡短的介紹 SURMOUNT? 低勢壘三通“0301”封裝硅肖特基二極管
Vf(V) 0.3000
總電容(pF)  0.120
動態電阻(ohms) 10.0
結電容(pF) 0.120
包裝類別 表面貼裝芯片
包裹  ODS-1289


特征
極低的寄生電容和電感 ? ? ? ?
對 ESD 損壞的敏感性較低
具有擴散屏障的可靠多層金屬化,100% 穩定烘烤(300°C,16 小時)
具有聚酰亞胺防刮擦保護的堅固 HMIC? 結構
極小的“0301” (1000 x 300 um) 占地面積 ? 可在微波電路中進行表面貼裝,無需引線鍵合


相關型號
MA4E2513L-1289
MADS-001339-12790T
MADS-001338-12790T
MA4E20541-1279T
MADS-002200-12790T
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MA4E1339B1-287T
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MA4E20541-1141T
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