United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款無與倫比的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，工作頻率為 DC 至 6 GHz。它提供超過 15 W 的輸出功率，具有 19 dB 的小信號增益和 64% 的功率附加效率。該晶體管采用 0.5 μm 柵極長度 GaN HEMT 技術開發，需要外部匹配電路。它設計用于在脈沖和連續波操作模式下工作，并為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。HEMT 需要 50 V 的直流偏置并消耗 100 mA 的電流。它采用密封陶瓷金屬法蘭封裝，適用于雷達和電信應用。
第一個符合空間要求的密封封裝 GaN 功率晶體管
CHK8101-SYC 是專用于空間應用的 15W GaN 封裝晶體管
感謝由 ESA 基礎技術研究計劃資助的歐洲 GREAT2 計劃 ( Link ) 的支持，我們非常自豪地宣布發布 CHK8101-SYC，這是一款組裝在全密封金屬陶瓷法蘭功率封裝中的 15W GaN 功率晶體管.
這種無與倫比的 GaN 晶體管可用于高達 6GHz 的高性能射頻功率應用。這種性能水平已經通過專用于 1.3GHz 應用的演示板得到驗證，其中 20W CW 輸出功率是在 50V 直流偏置下實現的，典型 PAE 為 64%，小信號增益為 20dB。
這款新產品采用我們的 GH50 空間評估 GaN-on-SiC 技術生產，目前處于采樣階段。資格測試正在進行中，目標是使該零件在 2022 年完全符合太空要求，并列入 ESA QPL（合格零件清單）。這是一系列符合空間要求的密封封裝功率晶體管中的第一個，計劃作為與 ESA 正在進行的 GH50 能力認證合作的一部分推出。
產品規格
產品詳情
零件號
CHK8101-SYC
制造商
聯合單片半導體
描述
15 W GaN HEMT，從直流到 6 GHz
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
氮化鎵
應用行業
無線基礎設施、雷達
應用
電信
連續波/脈沖
連續波，脈沖
頻率
直流至 6 GHz
力量
41.7 分貝
功率(W)
15 瓦
P1dB
19分貝
飽和功率
20 瓦
獲得
14分貝
功率附加效率
64 %
效率
73 %
特征
專為寬帶操作、高效率、高功率增益而設計
電源電壓
50 伏
擊穿電壓 - 漏源
180 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-10 至 2 伏
漏電流
700毫安
漏極偏置電流
3毫安（最大）
靜態漏極電流
200毫安
柵極漏電流 (Ig)
-0.4 毫安
匹配
需要外部匹配電路
輸入電容
0.4 pF
結溫 (Tj)
200攝氏度
熱阻
5.8 C/W
包裹
3 引線密封陶瓷金屬法蘭封裝
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
CHA2098b99F
CHA6105-99F
CHA4107-QDG
CHA3656-QAG
CHA2157-99F
CHA5050-QDG
CHA2063a99F
CHA2190-99F
CHA3666-SNF
CHA2066-99F
CHA3666-QAG
CHA7114-99F
CHA2091-99F
CHA8100-99F
CHA2097a99F
CHA2069-QDG
CHA3688aQDG
CHA2193-99F
CHA4107-99F
CHA2292-99F
CHA2266-99F
CHA7115-99F
CHA2090-99F
CHA2293-99F
CHA2066-QAG
CHA2394-99F
CHA4105-99F
CHA2094b99F
CHA3801-QDG
CHA5115-99F
CHA3063-99F
CHA2092b99F
CHA3801-99F
CHA3666-99F
CHA3665-QAG
CHP3015-QDG
CHP4010-99F
CHP1102-QGG
CHR1080a98F
CHC6053-QQA
CHU2277-99F
CHX1162-QDG
CHX1191-98F
CHX2090-QDG
