Qorvo 的 QPD1009 是一種 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為直流至 4 GHz。它提供 17 W 的輸出功率，增益為 24 dB，PAE 為 72%。該晶體管需要 50 V 的電源電壓并消耗高達(dá) 26 mA 的電流。它采用 3 x 3 mm QFN 封裝，是軍用雷達(dá)、干擾器、陸地移動(dòng)和軍用無線電通信的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)               QPD1009

制造商               科爾沃

描述                  17 W GaN RF 晶體管，從 DC 到 4 GHz

一般參數(shù)

晶體管類型       HEMT

技術(shù)                 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)          無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)、航空航天與國防、測(cè)試與測(cè)量

應(yīng)用                軍事、移動(dòng)無線電、通信、測(cè)試儀器、干擾器、航空電子設(shè)備

連續(xù)波/脈沖    脈沖，連續(xù)波

頻率               直流至 4 GHz

力量               41.76 分貝

功率(W)         15 瓦

飽和功率        42.3 分貝

脈沖寬度       128 我們

占空比          0.1

獲得             24分貝

電源電壓      12 至 60 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.8 伏

漏極偏置電流  26毫安

靜態(tài)漏極電流  26毫安

包裝類型        表面貼裝

包裹              3 x 3 毫米

RoHS            是的

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