MASW-002102-13580

帶偏置的HMIC? Si PIN 二極管

MASW-002102-13580 和 MASW-003102-13590 器件是帶有集成偏置網(wǎng)絡(luò)的 SP2T 和 SP3T 寬帶開關(guān)，采用 MACOM 的 HMIC?（雜石微波集成電路）工藝，美國專利 5,268,310。該工藝允許通過將硅基座嵌入低損耗、低色散玻璃中，從而形成串聯(lián)和并聯(lián)二極管或通孔。通過在元件之間使用小間距，硅和玻璃的這種組合使 HMIC? 設(shè)備具有低損耗和高隔離性能，并在低毫米頻率下具有出色的可重復(fù)性。大焊盤便于使用低電感帶狀鍵合，而金背面金屬化允許通過 80/20 - Au/Sn、62/36/2 - Sn/Pb/Ag 焊料或?qū)щ娿y環(huán)氧樹脂進(jìn)行手動或自動芯片鍵合。

帶偏置的HMIC? Si PIN 二極管

MASW-002102-13580 和 MASW-003102-13590 器件是帶有集成偏置網(wǎng)絡(luò)的 SP2T 和 SP3T 寬帶開關(guān)，采用 MACOM 的 HMIC?（雜石微波集成電路）工藝，美國專利 5,268,310。該工藝允許通過將硅基座嵌入低損耗、低色散玻璃中，從而形成串聯(lián)和并聯(lián)二極管或通孔。通過在元件之間使用小間距，硅和玻璃的這種組合使 HMIC? 設(shè)備具有低損耗和高隔離性能，并在低毫米頻率下具有出色的可重復(fù)性。大焊盤便于使用低電感帶狀鍵合，而金背面金屬化允許通過 80/20 - Au/Sn、62/36/2 - Sn/Pb/Ag 焊料或?qū)щ娿y環(huán)氧樹脂進(jìn)行手動或自動芯片鍵合。

特征

• 指定高達(dá) 18 GHz 的寬帶寬
• +25°C 時高達(dá) 33 dBm 的 CW 功率處理
• 玻璃封裝結(jié)構(gòu)
• 完全單片
• 崎嶇
• 低插入損耗/高隔離
• 綜合偏置網(wǎng)絡(luò)
• 最高可達(dá) 26 GHz
• 260°C 回流兼容
• 符合 RoHS*

MASWSS0191                     MASW-008330                MASWSS0136

MASW-011036                   MASWCC0006                 MASWSS0144

MASWCC0009                    MASWSS0204                 MASW-011043

MASW-005102-13600         MASWSS0103                MASW-002102-13580

MASWSS0179                     NPTB00004B                 MAGX-100027-015S0P

MAGX-101214-500L00        MAMG-102933-030           MAMG-103135-085

MAGX-102731-180           MAMG-100227-010           MAPG-102730-400