80V 高溫寬輸入范圍同步降壓控制器
| Vin (Min) (V) | 6 |
| Vin (Max) (V) | 80 |
| Vout (Min) (V) | 1.215 |
| Vout (Max) (V) | 80 |
| Iout (Max) (A) | 20 |
| Iq (Typ) (uA) | 4600 |
| Switching frequency (Min) (kHz) | 50 |
| Switching frequency (Max) (kHz) | 1000 |
| Features | Enable, Frequency Synchronization, Light Load Efficiency |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Number of phases | 1 |
| Rating | High Temp |
- 仿真峰值電流模式
- 高達 80V 的寬工作范圍
- 低 IQ 關斷 (< 10μA)
- 驅(qū)動標準或邏輯電平金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)
- 穩(wěn)健耐用的 3.5A 峰值柵極驅(qū)動
- 自由運行或同步運行至 1MHz
- 可選二極管仿真模式
- 從 1.215V 至 80V 的可編程輸出
- 精密 1.5% 電壓基準
- 可編程電流限制
- 可編程軟啟動
- 可編程線路欠壓閉鎖
- 自動切換至外部偏置電源
應用范圍
- 潛孔打鉆
- 高溫環(huán)境
支持極端溫度環(huán)境下的應用
- 受控基線
- 同一組裝和測試場所
- 同一制造場所
- 支持極端（-55°C 至 175°C）溫度范圍
- 延長的產(chǎn)品生命周期
- 延長的產(chǎn)品變更通知
- 產(chǎn)品可追溯性
- 德州儀器 （TI） 高溫產(chǎn)品利用高度優(yōu)化的硅（芯片）解決方案，此解決方案對設計和制造工藝進行了提升以在擴展的溫度范圍內(nèi)大大地提高性能。
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LM5116 是一款用于由高壓或?qū)挿秶兓斎腚娫垂╇姷慕祲悍€(wěn)壓器應用的同步降壓控制器。 此控制方法基于采用一個經(jīng)仿真電流斜坡的電流模式控制。 電流模式控制可提供固有的線路前饋、逐周期電流限制和簡化的環(huán)路補償。 經(jīng)仿真控制斜坡的使用減少了脈寬調(diào)制電路的噪聲敏感度，從而實現(xiàn)高輸入電壓應用中所必需的對極小占空比的可靠控制。 工作頻率可在 50kHz 至 1MHz 之間進行編程。 LM5116 使用自適應死區(qū)時間控制來驅(qū)動外部高側(cè)和低側(cè) NMOS 功率開關。 一個用戶可選二極管仿真模式可實現(xiàn)斷續(xù)模式運行，以提高輕負載時的效率。 一個低靜態(tài)電流關斷禁用控制器，并且消耗的總輸入電流少于 10μA。 額外特性包括一個高壓偏置穩(wěn)壓器、用于提高效率的自動切換至外部偏壓、熱關斷、頻率同步、逐周期限流限制和可調(diào)線路欠壓閉鎖。
