具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET
| VDS (Max) (V) | 600 |
| RDS (on) (Milliohm) | 50 |
| ID (Max) (A) | 44 |
| Rating | Catalog |
LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150 V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。 LMG3425R050 包含理想二極管模式，該模式通過啟用自適應死區時間控制功能來降低第三象限損耗。
高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監控。
