具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的汽車類 650V、30m? GaN FET
| VDS (Max) (V) | 650 |
| RDS (on) (Milliohm) | 30 |
| ID (Max) (A) | 55 |
| Rating | Automotive |
LMG352xR030-Q1 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。
LMG352xR030-Q1 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與我們的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。其他特性（包括用于 EMI 控制的可調柵極驅動強度、過熱保護、穩健過流保護和故障指示）可提供優化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。
高級電源管理功能包括數字溫度報告和 TI 的理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，這使系統能夠以理想方式管理負載。理想二極管模式通過啟用自適應死區時間控制來降低第三象限損耗，從而更大限度地提高效率。
