具有集成驅(qū)動(dòng)器和過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
| VDS (Max) (V) | 600 |
| RDS (on) (Milliohm) | 150 |
| ID (Max) (A) | 6 |
| Rating | Catalog |
- TI GaN 工藝通過(guò)了實(shí)際應(yīng)用硬開(kāi)關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試
- 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
- 與共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能
- 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和布局
- 可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度確保開(kāi)關(guān)性能和 EMI 控制
- 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
- 僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源
- 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
- 零共源電感
- 20ns 傳播延遲確保 MHz 級(jí)工作頻率
- 工藝經(jīng)過(guò)調(diào)整的柵極偏置電壓確保可靠性
- 25V/ns 至 100V/ns 的用戶(hù)可調(diào)節(jié)壓擺率
- 逐周期過(guò)流保護(hù)
- 強(qiáng)大的保護(hù)
- 無(wú)需外部保護(hù)組件
- 過(guò)流保護(hù)，響應(yīng)時(shí)間低于 100ns
- 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
- 瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度
- 過(guò)熱保護(hù)
- 針對(duì)所有電源軌的 UVLO 保護(hù)
- 器件選項(xiàng)：
- LMG3410R150：鎖存過(guò)流保護(hù)
- LMG3411R150：逐周期過(guò)流保護(hù)
LMG341xR150 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開(kāi)關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類(lèi)的密集高效拓?fù)洹?/p>
LMG341xR150 通過(guò)集成一系列獨(dú)特的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開(kāi)關(guān)（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過(guò)熱關(guān)斷可防止熱逃逸，而且系統(tǒng)接口信號(hào)可提供自監(jiān)控功能。
