80V GaN 半橋功率級
| VDS (Max) (V) | 80 |
| RDS (on) (Milliohm) | 15 |
| ID (Max) (A) | 10 |
| Rating | Catalog |
- 集成 15mΩ GaN FET 和驅動器
- 80V 連續電壓，100V 脈沖電壓額定值
- 封裝經過優化，可實現簡單的 PCB 布局，無需考慮底層填料、爬電和余隙要求
- 超低共源電感可確保實現高壓擺率開關，同時在硬開關拓撲中不會造成過度振鈴
- 非常適合隔離式和非隔離式 應用
- 柵極驅動器支持高達 10MHz 的開關頻率
- 內部自舉電源電壓鉗位可防止 GaN FET 過驅
- 電源軌欠壓鎖定保護
- 優異的傳播延遲（典型值為 29.5ns）和匹配（典型值為 2ns）
- 低功耗
LMG5200 器件集成了 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，采用增強模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級解決方案。該器件包含兩個 80V GaN FET，它們由采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅動器提供驅動。
GaN FET 在功率轉換方面的優勢顯著，因為其反向恢復電荷幾乎為零，輸入電容 CISS 也非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
該器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VCC 電壓如何，都能夠承受高達 12V 的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于具有高頻、高效操作及小尺寸要求的 應用 而言，該器件堪稱理想的解決方案。與 TPS53632G 控制器搭配使用時，LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉換為負載點電壓 (0.5-1.5V)。
