--- 產品詳情 ---
具有反向電流保護和使能功能的 1A、高精度、超低壓降穩壓器
Output options | Adjustable Output, Fixed Output |
Iout (Max) (A) | 1 |
Vin (Max) (V) | 5.5 |
Vin (Min) (V) | 2.2 |
Vout (Max) (V) | 5.5 |
Vout (Min) (V) | 1.2 |
Fixed output options (V) | 2.1, 2.5 |
Noise (uVrms) | 32 |
Iq (Typ) (mA) | 0.4 |
Thermal resistance θJA (°C/W) | 67 |
Rating | Catalog |
Load capacitance (Min) (μF) | 1 |
Regulated outputs (#) | 1 |
Features | Enable, Foldback overcurrent protection, Reverse current protection |
Accuracy (%) | 1 |
PSRR @ 100 KHz (dB) | 32 |
Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 130 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容搭配工作時保持穩定
- 輸入電壓范圍:2.2V 至 5.5V
- 超低壓降電壓:
- 1A 時的最大電壓為 200mV
- 出色的負載瞬態響應 - 即使與僅為 1μF 的輸出電容搭配使用也依舊出色
- NMOS 拓撲結構可提供低反向泄漏電流
- 出色的精度:
- 0.23% 標稱準確度
- 整個線路、負載和溫度范圍內的總精度為 1%
- 關斷模式下的 IQ 典型值小于 20nA
- 用于故障保護的熱關斷和電流限制
應用
- 針對數字信號處理器 (DSP),現場可編程柵極陣列 (FPGA),特定用途集成電路 (ASIC) 和微處理器的負載點調節
- 針對開關電源的后置調節
- 便攜式和電池供電類設備
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TPS7A37 系列線性低壓降 (LDO) 穩壓器在一個電壓隨耦器配置中使用一個 N 溝道金屬氧化物半導體 (NMOS) 導通元件。該拓撲結構對輸出電容值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低,從而實現多種負載配置。負載瞬態響應出色,即使與 1μF 小型陶瓷輸出電容搭配工作時也是如此。NMOS 拓撲結構也可實現極低壓降。
TPS7A37 系列使用一個先進的雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝,可在傳送極低壓降電壓和低接地引腳電流的同時產生高精度。未使能狀態下的電流消耗小于 20nA,非常適合便攜式 應用。這些器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
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