--- 產品詳情 ---
具有反向電流保護和使能功能的汽車類 1A 超低壓降穩壓器
Output options | Fixed Output |
Iout (Max) (A) | 1 |
Vin (Max) (V) | 5.5 |
Vin (Min) (V) | 2.2 |
Vout (Max) (V) | 3.3 |
Vout (Min) (V) | 1.9 |
Fixed output options (V) | 1.9, 3.3 |
Noise (uVrms) | 51 |
Iq (Typ) (mA) | 0.4 |
Thermal resistance θJA (°C/W) | 52 |
Rating | Automotive |
Load capacitance (Min) (μF) | 1 |
Regulated outputs (#) | 1 |
Features | Enable, Foldback overcurrent protection, Reverse current protection |
Accuracy (%) | 3 |
PSRR @ 100 KHz (dB) | 32 |
Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 130 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合汽車類 應用要求
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
- 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4A
- 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容器一起工作時保持穩定
- 輸入電壓范圍:2.2V 至 5.5V
- 超低壓降:1A 為 130mV(典型值)
- 即使使用僅為 1μF 的輸出電容器,也能實現出色的負載瞬態響應
- NMOS 拓撲可提供低反向漏電流
- 初始精度為 1%
- 整個線路、負載和溫度范圍內的精度達 3%
- 關斷模式下靜態電流小于 20nA(典型值)
- 通過熱關斷和電流限制實現故障保護
- 提供了多個輸出電壓版本
TPS737xx-Q1 線性低壓降 (LDO) 穩壓器系列在電壓跟隨器配置中使用了 NMOS 旁路元件。該拓撲結構對輸出電容值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低,從而實現多種負載配置。即使使用 1μF 的小型陶瓷輸出電容器,也能實現出色的負載瞬態響應。NMOS 拓撲結構也可實現極低壓降。
TPS737xx-Q1 系列利用先進的 BiCMOS 工藝實現高精度,同時提供極低的壓降和低接地引腳電流。未啟用時的電流消耗低于 20nA,適用于便攜式 應用。這些器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
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