采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -20 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 76 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 125 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 260 |
| Id peak (Max) (A) | -13.6 |
| Id max cont (A) | -3.6 |
| QG typ (nC) | 1.02 |
| QGD typ (nC) | 0.09 |
| QGS typ (nC) | 0.45 |
| VGSTH typ (V) | -0.75 |
| Package (mm) | LGA 0.7x0.6mm |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3.6 |
| Logic level | Yes |
此 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應用中的空間占用。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。集成的 10k? 鉗位電阻器 (RC) 可根據占空比讓柵極電壓 (VGS) 高于最大內部柵極氧化值 –6V。通過二極管的柵極泄漏 (IGSS) 隨著 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
