采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、21.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 21.9 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 16.9 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 89 |
| QG typ (nC) | 13.4 |
| QGD typ (nC) | 5.8 |
| QGS typ (nC) | 4.8 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.7 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 10 |
| ID - package limited (A) | 10 |
| Logic level | Yes |
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源極、雙路 N 溝道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏極至漏極導通電阻，可最大限度地較少損耗，且具有較少的組件數量，適用于空間受限的 應用。
