采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、16.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 16.9 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 68 |
| QG typ (nC) | 6 |
| QGD typ (nC) | 1.3 |
| QGS typ (nC) | 1.5 |
| Package (mm) | SON2x2 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 0.9 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 25 |
| ID - package limited (A) | 22 |
| Logic level | Yes |
這款采用 2mm × 2mm SON 封裝的 30V、12.6mΩ NexFET?功率 MOSFET 的設計被用來降低功率轉換中的損耗， 并優化 5V 柵極驅動器。 2mm x 2mm SON 針對封裝尺寸提供了出色的散熱性能。
