采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 76 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 13.5 |
| QG typ (nC) | 0.91 |
| QGD typ (nC) | 0.15 |
| QGS typ (nC) | 0.19 |
| Package (mm) | LGA 0.7x0.6mm |
| VGS (V) | 8 |
| VGSTH typ (V) | 0.85 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3.6 |
| ID - package limited (A) | 3.6 |
| Logic level | Yes |
該 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。
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