NexFET 功率級
| VDS (V) | 30 |
| Power loss (W) | 0.53 |
| Ploss current (A) | 5 |
| Configuration | PowerStage |
| ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 10 |
| Package (mm) | QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
bq500101 NexFET功率級針對涵蓋 WPC v1.2 中等功率規范的無線電源 應用 進行了優化。該器件既可用于固定頻率發射器類型中的電源軌電壓控制，也可用于固定頻率和頻率可變兩種發射器類型中的線圈驅動器。這個組合在小型 3.5mm x 4.5mm 外形尺寸封裝中實現具有高電流、高效率和高速開關功能的器件。此外，印刷電路板 (PCB) 封裝已經過優化，可幫助減少設計時間并簡化總體系統設計的完成。
