采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路共漏極、24mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 24 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 37 |
| QG typ (nC) | 6 |
| QGD typ (nC) | 1.4 |
| QGS typ (nC) | 1.2 |
| Package (mm) | LGA 1.35x1.35mm |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 0.9 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 7 |
| ID - package limited (A) | 7 |
| Logic level | Yes |
這款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合柵格陣列 (LGA) 封裝的雙路NexFET功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 設計為在最小外形尺寸中最大限度地降低電阻。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置，非常適合小型手持設備中 由電池供電的 應用。
