采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.5mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 6.5 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 12.1 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 150 |
| Id peak (Max) (A) | -240 |
| Id max cont (A) | -18 |
| QG typ (nC) | 10.8 |
| QGD typ (nC) | 2.2 |
| QGS typ (nC) | 2.8 |
| VGSTH typ (V) | -0.9 |
| Package (mm) | SON 3x3 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | -104 |
| Logic level | Yes |
這款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率轉換和負載管理應用中的損耗。該器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸無引線 (SON) 封裝，可提供出色的封裝散熱性能。
