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TIMOSFETCSD19537Q3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 100
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 14.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 219
QG typ (nC) 16
QGD typ (nC) 2.9
QGS typ (nC) 5.5
Package (mm) SON3x3
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 3
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 53
ID - package limited (A) 50
Logic level No

這款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET?功率 MOSFET 被設計成大大降低功率轉(zhuǎn)換 損耗。

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