采用 TO-220 封裝的單路、4mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 5.1 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 4 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 400 |
| QG typ (nC) | 44 |
| QGD typ (nC) | 6.9 |
| QGS typ (nC) | 10 |
| Package (mm) | TO-220 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.8 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 170 |
| ID - package limited (A) | 200 |
| Logic level | Yes |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低熱阻
- 雪崩額定值
- 邏輯電平
- 無鉛引腳鍍層
- 符合 RoHS 標準
- 無鹵素
- 晶體管 (TO)-220 塑料封裝
應用范圍
- 直流 - 直流轉換
- 次級側同步整流器
- 電機控制
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這款 60V，3.3mΩ，TO-220 NexFET 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 被設計成在功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
