采用 LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路共漏極、5.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual Common Drain |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 5.5 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 3.9 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 72 |
| QG typ (nC) | 15 |
| QGD typ (nC) | 6 |
| QGS typ (nC) | 5 |
| Package (mm) | LGA 3.4x1.5mm |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.8 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 14 |
| ID - package limited (A) | 14 |
| Logic level | Yes |
此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 雙路 NexFET?功率 MOSFET 旨在以小外形封裝最大程度地降低電阻和柵極電荷。該器件具有小尺寸和共漏極配置，非常適用于多節電池組 應用 和小型手持設備。
