采用 2mm x 2mm SON 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路、27mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 27 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 26 |
| QG typ (nC) | 4.2 |
| QGD typ (nC) | 1 |
| QGS typ (nC) | 1.1 |
| Package (mm) | SON2x2 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 0.9 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 5 |
| ID - package limited (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
CSD85301Q2 是一款 20V、23m? N 通道器件，它具有兩個獨立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封裝。 這兩個場效應管 (FET) 采用半橋配置，適用于同步降壓等電源應用。 此外，該部件還可用于適配器、USB 輸入保護和電池充電應用。 兩個 FET 的漏源導通電阻均較低，可最大程度降低損耗并減少元件數，非常適合空間受限型應用。
