采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
。最大 RθJC = 3.0°C/W，脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 6.4 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 4.8 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 239 |
| QG typ (nC) | 13 |
| QGD typ (nC) | 2.8 |
| QGS typ (nC) | 5.1 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 83 |
| ID - package limited (A) | 35 |
| Logic level | Yes |
這款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中以最大程度降低電阻。
頂部圖標 要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。 RθJA = 50°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅焊盤上測得的典型值。最大 RθJC = 3.0°C/W，脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
