采用 SO-8 封裝的雙路、15mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
。最大 RθJL = 20°C/W，脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 15 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 62 |
| QG typ (nC) | 14 |
| QGD typ (nC) | 2.3 |
| QGS typ (nC) | 4.6 |
| Package (mm) | SO-8 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 3 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 16 |
| ID - package limited (A) | 15 |
| Logic level | No |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩額定值
- 無鉛
- 符合 RoHS 環(huán)保標準
- 無鹵素
應用范圍
- 用于電機控制的半橋
- 同步降壓轉換器
這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機控制應用中的半橋。
頂視圖 要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 60°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅焊盤上測得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W，脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
