--- 產品詳情 ---
采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) | 80 |
Configuration | Single |
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 6.6 |
IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 305 |
QG typ (nC) | 38 |
QGD typ (nC) | 5.8 |
QGS typ (nC) | 12.4 |
Package (mm) | TO-220 |
VGS (V) | 20 |
VGSTH typ (V) | 2.6 |
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 129 |
ID - package limited (A) | 100 |
Logic level | No |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低熱阻
- 雪崩級
- 無鉛端子鍍層
- 符合 RoHS 標準
- 無鹵素
- 晶體管 (TO)-220 塑料封裝
應用范圍
- 次級側同步整流器
- 電機控制
這款 80V,5.5mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
要了解所有可用封裝,請見數據表末尾的可訂購產品附錄。 最大 RθJC = 0.7,脈沖持續時間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%為你推薦
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