采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、8.9mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -12 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 8.9 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 15.9 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 300 |
| Id peak (Max) (A) | -82 |
| Id max cont (A) | -15 |
| QG typ (nC) | 7.5 |
| QGD typ (nC) | 1.1 |
| QGS typ (nC) | 2.4 |
| VGSTH typ (V) | -0.9 |
| Package (mm) | SON 3x3 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | -72 |
| Logic level | Yes |
這款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被設計成最大限度地減少 SON 3 × 3 封裝內的功率轉換負載管理應用中的損耗，此封裝類型針對器件的尺寸提供出色的熱性能。
頂視圖 RθJA = 55°C/W，這是在厚度為 0.060" 的環氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 銅過渡墊片（2 盎司）上測得的典型值。脈寬 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
