采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、14mΩ、20V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 20 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 14 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 76 |
| QG typ (nC) | 11.7 |
| QGD typ (nC) | 1.6 |
| QGS typ (nC) | 3.5 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 1.1 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 39 |
| ID - package limited (A) | 39 |
| Logic level | Yes |
CSD85312Q3E 是一款設計用于適配器或 USB 輸入保護的 20V 共源、雙路 N 通道器件。 此類 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏極到漏極導通電阻，這大大減少了損耗并且為空間受限的多節電池充電類應用提供低組件數量。
