采用 TO-220 封裝的單路、7.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 7.7 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 285 |
| QG typ (nC) | 38 |
| QGD typ (nC) | 7.5 |
| QGS typ (nC) | 11.9 |
| Package (mm) | TO-220 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 2.7 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 110 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | No |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低熱阻
- 雪崩額定值
- 無鉛引腳鍍層
- 符合 RoHS 環保標準
- 無鹵素
- 晶體管 (TO)-220 塑料封裝
此 100V、6.4mΩ、TO-220 NexFET?功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中大大降低 損耗。
