采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路共源極、27mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 27 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 39 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 81 |
| Id peak (Max) (A) | -24 |
| Id max cont (A) | -3.9 |
| QG typ (nC) | 2.9 |
| QGD typ (nC) | 0.4 |
| QGS typ (nC) | 0.7 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.5x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3.9 |
| Logic level | Yes |
- 雙路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 小型封裝尺寸 1.5mm x 1.5mm
- 柵極 - 源電壓鉗位
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護大于 4kV
- 人體模型 (HBM) JEDEC 標準 JESD22-A114
- 無鉛且無鹵素
- 符合 RoHS 環保標準
應用范圍
- 電池管理
- 電池保護
- 負載和輸入開關
CSD75207W15 器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內產生盡可能低的導通電阻和柵極電荷。 低導通電阻與小型封裝尺寸和低高度結合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應用。 此器件也已經被授予美國專利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。
