采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、12.2mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 12.2 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 17.4 |
| Id peak (Max) (A) | -48 |
| Id max cont (A) | -5 |
| QG typ (nC) | 6.5 |
| QGD typ (nC) | 1 |
| QGS typ (nC) | 1.6 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.5x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 10 |
| Logic level | Yes |
- 低電阻
- 小尺寸封裝 1.5mm x 1.5mm
- 無鉛
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護
- 符合 RoHS 環保標準
- 無鹵素
- 柵 - 源電壓鉗位
應用范圍
- 電池管理
- 電池保護
- 負載開關應用
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此器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內產生盡可能低的導通電阻和柵極電荷。 低導通電阻與小型封裝尺寸和低高度結合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應用。
