采用 TO-220 封裝的單路、14mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 60 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 14 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 147 |
| QG typ (nC) | 14 |
| QGD typ (nC) | 2.3 |
| QGS typ (nC) | 5.2 |
| Package (mm) | TO-220 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 3 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 56 |
| ID - package limited (A) | 50 |
| Logic level | No |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低熱阻
- 雪崩級
- 無鉛引腳鍍層
- 符合 RoHS 標準
- 無鹵素
- 晶體管 (TO)-220 塑料封裝
應用范圍
- 高側同步降壓轉換器
- 電機控制
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這款 11 mΩ、60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
