采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、3.1mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
2 盎司（厚度 0.071mm）的銅過渡墊片上測得的典型值。脈沖持續時間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 4 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 3.1 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 151 |
| QG typ (nC) | 17.5 |
| QGD typ (nC) | 4.7 |
| QGS typ (nC) | 5.8 |
| Package (mm) | SON5x6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 100 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
NexFET? 功率 MOSFET 被設計用于大大減少功率轉換應用中的功率損失。
頂視圖 RθJA= 40.5°C/W，這是在一個厚度為 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度 0.071mm）的銅過渡墊片上測得的典型值。脈沖持續時間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
