具有 4V PWM 邏輯高電平的 30V 25A SON 5 x 6mm 同步降壓 NexFET? 功率級
| VDS (V) | 30 |
| Power loss (W) | 2.8 |
| Ploss current (A) | 25 |
| Configuration | PowerStage |
| ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 40 |
| Package (mm) | QFN 5 x 6 proprietary footprint |
| Operating temperature range (C) | -55 to 150 |
- 25 A 電流下 90% 的系統效率
- 輸入電壓高達 22 V
- 高頻率工作 （高達 2 MHz）
- 整合電源塊技術
- 高密度 — SON 5-毫米 × 6-毫米封裝
- 低功耗： 2.8 W （在 25 A 電流下）
- 超低電感封裝
- 系統優化 PCB 封裝方式
- 通用 5 V PWM 信號兼容新
- 三態 PWM 輸入
- 集成型自舉二極管
- 預偏置啟動保護
- 貫通保護
- 符合 RoHS 標準——無鉛型觸電無鹵素電鍍
CSD97370AQ5M NexFET 功率級是一款優化型設計，適用于高功率、高密度同步降壓轉換器。 該產品集成了一個增強型柵極驅動器 IC 與電源塊技術，以完善功率級開關功能。 這種組合形成了一個高電流、高效率、高速開關器件，并憑借其大尺寸的以地面為基礎的熱墊，在小型 5-mm x 6-mm 外形封裝內提供了一個出色的熱源解決方案。 此外，還對 PCB 的器件封裝進行了優化，以幫助縮短設計時間并簡化整個系統設計方案的完成。
