英飛凌IGBT模塊FF150R17ME3G
FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達150℃。低損耗，FF150R12KS4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
技術參數：
? Ic(A),Tc=80℃ 150
? Vce(sat),Max(V) 2.45
? Ton(us) 0.3
? Toff(us) 1.0
? Rth(j-c),K/W 0.12
? Pc(W) 1050
? 封裝 34mm
? 電路結構 EconoDual3
性能概要：
? 容易區分DC和AC
? 優化的熱阻散熱器外殼
優點：
? 緊湊型模塊
? 簡單可靠的組裝
? 理想的低電感系統設計
目標應用：
? 電機控制和驅動
? 風能系統解決方案
高能效組件和子系統的高可靠性
? 機車牽引
