MAVR-000081-0287FT

硅超突變

MA4ST079 至 MA4ST083 系列硅超突變結調諧變容器采用離子注入和先進的外延生長技術生產。這些二極管具有熱氧化鈍化，具有非常高的電容比和品質因數。它們非常適合從亞高頻到超高頻頻率范圍使用。標準電容容差為 ±10%，可提供更嚴格的容差。還提供在一個或多個偏置電壓下的電容匹配。這些二極管提供標準 Sn/Pb 電鍍，以及我們符合 RoHs 標準的等效設備上的 100% 啞光 Sn 電鍍。MA4ST079 至 MA4ST083 系列超突變結調諧變容二極管建議用于需要大頻率變化而調諧電壓僅發生小變化的情況。該系列適用于需要最大電容隨電壓變化率的寬帶壓控振蕩器和壓控濾波器。電容從 1 到 8 伏特的巨大變化使它們對于電池供電或其他可用控制電壓有限的系統非常有吸引力。MA4ST079 至 MA4ST083 系列可用于約 100 KHz 至 UHF 頻段的 VCO 和 VTF。

硅超突變

MA4ST079 至 MA4ST083 系列硅超突變結調諧變容器采用離子注入和先進的外延生長技術生產。這些二極管具有熱氧化鈍化，具有非常高的電容比和品質因數。它們非常適合從亞高頻到超高頻頻率范圍使用。標準電容容差為 ±10%，可提供更嚴格的容差。還提供在一個或多個偏置電壓下的電容匹配。這些二極管提供標準 Sn/Pb 電鍍，以及我們符合 RoHs 標準的等效設備上的 100% 啞光 Sn 電鍍。MA4ST079 至 MA4ST083 系列超突變結調諧變容二極管建議用于需要大頻率變化而調諧電壓僅發生小變化的情況。該系列適用于需要最大電容隨電壓變化率的寬帶壓控振蕩器和壓控濾波器。電容從 1 到 8 伏特的巨大變化使它們對于電池供電或其他可用控制電壓有限的系統非常有吸引力。MA4ST079 至 MA4ST083 系列可用于約 100 KHz 至 UHF 頻段的 VCO 和 VTF。

特征

• 低成本
• 符合 RoHS 標準
• 260°C 回流兼容
• 無鉛
• 卷帶包裝
• 單陰極和共陰極對
• SPC 監測離子注入以實現出色的 CV 重復性
• 適用于電池應用
• 高質量因子
• 表面貼裝封裝
• 從 1 到 8 伏的非常高的電容比

應用

• 主義

產品規格

零件號

MAVR-000081-0287FT

描述

硅超突變

伽馬

1.30

總電容(pF)

10.100

品質因數 @ 50 MHz，最小值

300

擊穿電壓(V)

12

包裹

ODS-287

包裹類別

塑料表面貼裝

MAVR-001330-1146FT        MAVR-000350-11410T         MAVR-000407-0287FT

MAVR-045441-0287FT        MAVR-000081-0287FT         MAVR-011005-12790T

MAVR-001230-12790T        MAVR-000250-0287FT         MAVR-000250-11410T

MAVR-000403-0287AT        MAVR-000120-14110P         MA144769-287T

MAVR-000250-0287AT        MAVR-000250-12790T         MAVR-000250-1146AT

MAVR-000250-1146FT        MAVR-044767-0287AT         MAVR-000120-14110G

MAVR-044769-0287FT        MAVR-044769-12790T         MAVR-044767-12790T

MGV125-20                 MGV125-09                   MGV100-24-0805-2

MGV100-20-H20             MGV100-23-E28 / 28 X         MGV075-16-P55