MA4E2040
GaAs 高阻隔系列三通
MACOM 的 MA4E2037 和 MA4E2038 單二極管、MA4E2039 反并聯(lián)對(duì)和 MA4E2040 系列三通是砷化鎵束引線肖特基勢(shì)壘二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。砷化鎵的高載流子遷移率導(dǎo)致串聯(lián)電阻低于具有等效電容的硅肖特基，從而降低噪聲系數(shù)和轉(zhuǎn)換損耗。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚合物用于防刮擦。保護(hù)涂層可防止在處理過(guò)程中損壞結(jié)點(diǎn)和陽(yáng)極氣橋。這些二極管的高截止頻率允許通過(guò)毫米波頻率使用。典型應(yīng)用包括 PCN 收發(fā)器和無(wú)線電、汽車?yán)走_(dá)系統(tǒng)和警用雷達(dá)探測(cè)器中的單平衡和雙平衡混頻器。MA4E2039 反并聯(lián)對(duì)設(shè)計(jì)用于次諧波泵浦混頻器。RF 輸入端高 LO 抑制中二極管特性的緊密匹配。
GaAs 高阻隔系列三通
MACOM 的 MA4E2037 和 MA4E2038 單二極管、MA4E2039 反并聯(lián)對(duì)和 MA4E2040 系列三通是砷化鎵束引線肖特基勢(shì)壘二極管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應(yīng)而設(shè)計(jì)的工藝。砷化鎵的高載流子遷移率導(dǎo)致串聯(lián)電阻低于具有等效電容的硅肖特基，從而降低噪聲系數(shù)和轉(zhuǎn)換損耗。二極管用氮化硅完全鈍化，并有一層額外的聚合物用于防刮擦。保護(hù)涂層可防止在處理過(guò)程中損壞結(jié)點(diǎn)和陽(yáng)極氣橋。這些二極管的高截止頻率允許通過(guò)毫米波頻率使用。典型應(yīng)用包括 PCN 收發(fā)器和無(wú)線電、汽車?yán)走_(dá)系統(tǒng)和警用雷達(dá)探測(cè)器中的單平衡和雙平衡混頻器。MA4E2039 反并聯(lián)對(duì)設(shè)計(jì)用于次諧波泵浦混頻器。RF 輸入端高 LO 抑制中二極管特性的緊密匹配。
特征
- 低串聯(lián)電阻
- 多種配置
- 氮化硅鈍化
- 高截止頻率
- 低電容
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MA4E2040
描述
GaAs 高阻隔系列三通
Vf(V)
0.8000
Vb
4.50
總電容(pF)
0.050
動(dòng)態(tài)電阻（歐姆）
4.0
結(jié)電容(pF)
0.050
包裹類別
梁鉛
包裹
梁鉛
