MA4E2501L-1290
低勢壘硅單
MA4E2501L-1290 SURMOUNT 二極管是采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造的硅低勢壘肖特基器件。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體構成，玻璃電介質充當低色散微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。SURMOUNT 結構采用電阻極低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底部表面的金屬化安裝焊盤。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統設備成本更低的解決方案0201”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。建議將 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低勢壘肖特基二極管用于 Ku 波段頻率的微波電路，以用于低功率應用，例如混頻器、次諧波混頻器、檢測器和限幅器。
低勢壘硅單
MA4E2501L-1290 SURMOUNT 二極管是采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造的硅低勢壘肖特基器件。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體構成，玻璃電介質充當低色散微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。SURMOUNT 結構采用電阻極低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底部表面的金屬化安裝焊盤。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統設備成本更低的解決方案。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。極小的“0201”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。建議將 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低勢壘肖特基二極管用于 Ku 波段頻率的微波電路，以用于低功率應用，例如混頻器、次諧波混頻器、檢測器和限幅器。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。極小的“0201”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。建議將 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低勢壘肖特基二極管用于 Ku 波段頻率的微波電路，以用于低功率應用，例如混頻器、次諧波混頻器、檢測器和限幅器。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。極小的“0201”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。建議將 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低勢壘肖特基二極管用于 Ku 波段頻率的微波電路，以用于低功率應用，例如混頻器、次諧波混頻器、檢測器和限幅器。
特征
- 極低的寄生電容和電感
- 提供袖珍卷帶包裝
- 具有擴散屏障的可靠多層金屬化，100% 穩定烘烤（300°C，16 小時）
- 具有聚酰亞胺防刮擦保護的堅固 HMIC 結構
- 可表面貼裝在微波電路中。無需引線鍵合
- 極小的 0201 (600x300um) 封裝
產品規格
零件號
MA4E2501L-1290
描述
低勢壘硅單
Vf(V)
0.3300
Vb
5.00
總電容(pF)
0.120
動態電阻（歐姆）
10.0
結電容(pF)
0.120
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1290
