MA4E2513L-1289

低阻隔系列Tee Si

MA4E2513L-1289 SURMOUNTTM 二極管是采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造的硅低勢壘肖特基器件。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體組成，玻璃電介質充當低色散微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統設備成本更低的解決方案。

低阻隔系列Tee Si

MA4E2513L-1289 SURMOUNTTM 二極管是采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造的硅低勢壘肖特基器件。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質中的導體組成，玻璃電介質充當低色散微帶傳輸介質。硅和玻璃的結合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設備中具有出色的損耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應與芯片的卓越機械性能相結合的電路的絕佳選擇。Surmount 結構采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設備是可靠的、可重復的，并且是比傳統設備成本更低的解決方案。與傳統的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結時采用的多層金屬化包括鉑擴散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進行 16 小時的非工作穩定烘烤。極小的“0301”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。MA4E2513L-1289 SURMOUNT? 二極管推薦用于通過 Ku 波段頻率的微波電路，用于低功率應用，例如混頻器、次諧波混頻器、檢測器和限幅器。

特征

• 極低的寄生電容和電感 ? ? ? ?
• 降低對 ESD 損壞的敏感性
• 具有擴散屏障的可靠多層金屬化，100% 穩定烘烤（300°C，16 小時）
• 堅固的 HMIC? 結構，具有聚酰亞胺防刮擦保護
• 極小的“0301” (1000 x 300 um) 封裝 ? 可在微波電路中進行表面貼裝，無需引線鍵合

產品規格

零件號

MA4E2513L-1289

描述

低阻隔系列Tee Si

Vf(V)

-0.7000

Vb

3.00

總電容(pF)

0.120

動態電阻（歐姆）

10.0

結電容(pF)

0.120

包裹類別

表面貼裝模具

包裹

ODS-1289