MADS-002545-1307MG
中型障礙越過交叉四邊形
MADS-002545-1307 系列超越硅肖特基交叉四路二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質(zhì)中的導(dǎo)體構(gòu)成，玻璃電介質(zhì)充當(dāng)?shù)蜕ⅰ⒌蛽p耗的微帶傳輸介質(zhì)。硅和玻璃的結(jié)合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設(shè)備中具有出色的損耗和功耗特性。這些 Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應(yīng)與芯片的卓越機(jī)械性能相結(jié)合的電路的絕佳選擇。Surmount 結(jié)構(gòu)采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點(diǎn)連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設(shè)備是可靠的、可重復(fù)的，并且是比傳統(tǒng)設(shè)備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。
中型障礙越過交叉四邊形
MADS-002545-1307 系列超越硅肖特基交叉四路二極管采用獲得專利的異石微波集成電路 (HMIC?) 工藝制造。HMIC? 電路由形成二極管的硅基座或嵌入玻璃電介質(zhì)中的導(dǎo)體構(gòu)成，玻璃電介質(zhì)充當(dāng)?shù)蜕ⅰ⒌蛽p耗的微帶傳輸介質(zhì)。硅和玻璃的結(jié)合使 HMIC? 器件在薄型、可靠的設(shè)備中具有出色的損耗和功耗特性。這些 Surmount 肖特基器件是要求梁式引線器件的小寄生效應(yīng)與芯片的卓越機(jī)械性能相結(jié)合的電路的絕佳選擇。Surmount 結(jié)構(gòu)采用電阻非常低的硅通孔將肖特基觸點(diǎn)連接到芯片底面上的金屬化安裝墊。這些設(shè)備是可靠的、可重復(fù)的，并且是比傳統(tǒng)設(shè)備成本更低的解決方案。與傳統(tǒng)的梁式引線肖特基二極管相比，它們對靜電放電的敏感性更低。制造 Surmount 肖特基結(jié)時(shí)采用的多層金屬化包括鉑擴(kuò)散阻擋層，它允許所有器件在 300°C 下進(jìn)行 16 小時(shí)的非工作穩(wěn)定烘烤。“0202”輪廓允許表面貼裝放置和多功能極性方向。MADS-002545-1307 系列推薦用于 Ku 波段頻率的微波電路，用于低功率應(yīng)用，例如混頻器、次諧波混頻器、檢測器和限幅器。HMIC 結(jié)構(gòu)有助于用相應(yīng)的超越二極管直接替換更脆弱的梁式引線二極管，
特征
- 超低寄生電容和電感
- 降低對 ESD 損壞的敏感性
- 阻隔，100% 穩(wěn)定烘烤（300 °C，16 小時(shí)）
- 可靠的多層金屬化擴(kuò)散
- 堅(jiān)固的 HMIC? 結(jié)構(gòu)，具有聚酰亞胺防刮擦保護(hù)
- 可在微波電路中進(jìn)行表面貼裝，無需引線鍵合
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
MADS-002545-1307MG
描述
中型障礙越過交叉四邊形
Vf(V)
0.3900
Vb
5.00
總電容(pF)
0.110
動(dòng)態(tài)電阻（歐姆）
10.0
結(jié)電容(pF)
0.110
包裹類別
表面貼裝模具
包裹
ODS-1307
