MA4AGSW2
AlGaAs 反射式
MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng) GaAs 工藝相比，該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時(shí)可實(shí)現(xiàn)多達(dá) 0.3 dB 的插入損耗降低。這些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實(shí)現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應(yīng)。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護(hù)劃痕。保護(hù)涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和陽極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開關(guān)成為快速開關(guān)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計(jì)的理想選擇。這些 AlGaAs PIN 開關(guān)用于雷達(dá)系統(tǒng)、輻射計(jì)、測(cè)試設(shè)備和其他多組件組件的開關(guān)陣列。
特征
- 超寬帶寬：50 MHz 至 50 GHz
- 符合 RoHS*
- 低電流消耗：-10mA 用于低損耗狀態(tài)，+10mA 用于隔離狀態(tài)
- 50 GHz 時(shí) 33 dB 隔離
- 0.7分貝插入損耗
- 功能帶寬：50 MHz 至 70 GHz
- 聚合物劃痕保護(hù)
- 氮化硅鈍化
- MACOM 獨(dú)特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽極技術(shù)
- 260°C 回流兼容
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MA4AGSW2
描述
AlGaAs 反射式
最小頻率(MHz)
50
最大頻率(MHz)
50000
隔離度(dB)
46
插入損耗 (dB)
0.600
IIP3(dBm)
40
IP1dB(dBm)
29
CW入射功率(W)
0.2
包裝類別
死
包裹
死
ROHS
是的
相關(guān)型號(hào)
MASW-011148 MASW-011130-DIE MASW-011087-DIE
MASW-011111-DIE MASW-011128-DIE MASW-011131
MASW-011135 MASW-011138 MASW-011107-DIE
MASW-011102 MASW-011105 MASW-011029
MASW-011094 MASW-011098 MASW – 011071
MASW-011060 MASW-002103-1364 MASW-009101
MASW-011041 MA4SW310 MA4AGSW2
MASWSS0115 MASW-006102-13610 MASWSS0091
MASW-000932 MASW-000834-13560T MASW-005100-1194
