LTC?3718 是一款用于 DDR 和 QDR? 存儲器終端的高電流、高效率同步開關(guān)穩(wěn)壓控制器。該器件采用一個低至 1.5V 的輸入工作，并提供一個等于 (0.5)VIN 的穩(wěn)定輸出電壓。該控制器采用一種谷值電流控制架構(gòu)以實現(xiàn)高工作頻率和非常低的接通時間，而無需使用一個檢測電阻器。工作頻率利用一個外部電阻器來選擇，并針對 VIN 及 VOUT 中的變化進行補償。LTC3718 采用一對標(biāo)準(zhǔn)的 5V 邏輯電平 N 溝道外部 MOSFET，從而免除了增設(shè)昂貴 P 溝道或低門限器件的需要。
強制連續(xù)操作可降低噪聲及 RF 干擾。故障保護由內(nèi)部折返電流限制、一個輸出過壓比較器和任選的短路停機定時器提供。針對電源排序的軟啟動能力可采用一個外部定時電容器來實現(xiàn)。OPTI-LOOP? 補償?shù)倪\用使得能夠在一個很寬的負(fù)載和輸出電容數(shù)值范圍內(nèi)優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。
應(yīng)用
- 總線終端：DDR/QDR 存儲器、SSTL、HSTL …
- 服務(wù)器、RAID 系統(tǒng)
- 分布式電源系統(tǒng)
- 同步降壓和通用升壓
- 非常低的 VIN(MIN)：1.5V
- 超快的瞬態(tài)響應(yīng)
- 真正的電流模式控制
- 用于 N 溝道 MOSFET 的 5V 驅(qū)動免除了 5V 輔助電源
- 無需檢測電阻器
- 采用標(biāo)準(zhǔn)的 5V 邏輯電平 N 溝道 MOSFET
- VOUT(MIN)：0.4V
- VOUT 跟蹤 1/2 VIN 或外部 VREF
- 對稱的供應(yīng)和吸收輸出電流限制
- 可調(diào)的開關(guān)頻率
- tON(MIN) < 100ns
- 電源良好輸出電壓監(jiān)視器
- 可編程軟啟動
- 輸出過壓保護
- 任選的短路停機定時器
- 小外形 24 引腳 SSOP 封裝
LTC3618
LTC3634
LTC3617
LTC3876
LTC3614
LTC3615
LTC3616
LTC3612
MAX17000A
MAX8794
MAX8632
LTC3776
LTC3831-1
MAX8550
MAX8550A
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MAX1917
LTC3717
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