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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC2025UFDBQ 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號： DMC2025UFDBQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC2025UFDBQ
  • 名稱 互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC2025UFDBQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC2025UFDBQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并由 PPAP 支持。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC2025UFDBQ
名稱            互補(bǔ)對增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 10, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6, 3.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25, 75 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 35, 140 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5, 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.9, 8.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.3, 15 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 486, 642 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 10 V


主要特征
PCB 占地面積為 4mm2
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型，最大高度 0.6mm
ESD保護(hù)柵極

 

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