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DMN2005UFGQ 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2005UFGQ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2005UFGQ
  • 名稱 20V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產品詳情 ---

DMN2005UFGQ 

產品簡介
DIODES 的DMN2005UFGQ 這種MOSFET設計用于滿足汽車應用。它符合AEC-Q101標準,由PPAP,非常適合用于:
電機控制
負載開關
DC-DC轉換器

 

產品規格 
品牌               DIODES
型號               DMN2005UFGQ
名稱               20V N 溝道增強型 MOSFET
產地               臺灣
封裝               PowerDI3333-8

 

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低RDS(ON)-確保最大限度地減少狀態損耗
小尺寸熱效封裝實現更高密度最終產品
占SO-8啟用占用的板面積的33%較小的最終產品
100%無阻尼感應開關,在生產中測試-確保更加可靠和穩健的最終應用程序


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