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DMN2015UFDF 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2015UFDF

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2015UFDF
  • 名稱 20V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產品詳情 ---

DMN2015UFDF 


產品簡介
DIODES 的DMN2015UFDF這款新一代 20V N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合便攜式、電池組和其他電源管理功能。

 

產品規格 
品牌               DIODES
型號               DMN2015UFDF
名稱               20V N 溝道增強型 MOSFET
產地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6

 

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 42.3 nC
CISS Typ (pF) 1439 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
低導通電阻


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